DTA144EET1G Альтернативные части: DTA114EET1G

DTA144EET1GON Semiconductor

  • DTA144EET1GON Semiconductor
  • DTA114EET1GON Semiconductor

В наличии: 4660

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    14.391758 ₽

    14.42 ₽

  • 10

    13.577088 ₽

    135.71 ₽

  • 100

    12.808571 ₽

    1,280.91 ₽

  • 500

    12.083613 ₽

    6,041.76 ₽

  • 1000

    11.399615 ₽

    11,399.59 ₽

Цена за единицу: 14.391758 ₽

Итоговая цена: 14.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
ON SEMICONDUCTOR - DTA144EET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC75, FULL REEL
TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя
8 Weeks
8 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
Поверхностный монтаж
YES
YES
Количество контактов
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
35
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2006
2005
Код JESD-609
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
Моментальный ток
-100mA
70mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
Основной номер части
DTA144
DTA114
Число контактов
3
3
Направленность
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Распад мощности
200mW
200mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Без галогенов
Halogen Free
Halogen Free
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
35 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300μA, 10mA
250mV @ 300μA, 10mA
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
База (R1)
47 k Ω
10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
10 k Ω
Высота
800μm
900μm
Длина
1.65mm
1.65mm
Ширина
900μm
900μm
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
Выводной напряжение
-
300mV
Максимальный выходной ток
-
100mA
Входной напряжение питания
-
50V
Максимальное напряжение разрушения
-
50V
REACH SVHC
-
No SVHC