DTA143ZM3T5G Альтернативные части: DTA144EM3T5G ,DTA114TM3T5G

DTA143ZM3T5GON Semiconductor

  • DTA143ZM3T5GON Semiconductor
  • DTA144EM3T5GON Semiconductor
  • DTA114TM3T5GON Semiconductor

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    31.661868 ₽

    31.59 ₽

  • 10

    29.869712 ₽

    298.76 ₽

  • 100

    28.178970 ₽

    2,817.86 ₽

  • 500

    26.583874 ₽

    13,291.90 ₽

  • 1000

    25.079176 ₽

    25,079.12 ₽

Цена за единицу: 31.661868 ₽

Итоговая цена: 31.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DTA143ZM3T5G PNP Digi Transistor; 100mA 50V 4.7 kOhm; Ratio Of 0.1; 3-Pin SOT-723
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя
2 Weeks
2 Weeks
2 Weeks
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-723
SOT-723
SOT-723
Поверхностный монтаж
YES
YES
YES
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Минимальная частота работы в герцах
80
80
160
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2009
2009
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Ток постоянного напряжения - номинальный
-50V
-50V
-50V
Максимальная потеря мощности
260mW
260mW
260mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
FLAT
FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
-100mA
-100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
40
Основной номер части
DTA143
DTA144
DTA114
Число контактов
3
3
3
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
260mW
260mW
260mW
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Без галогенов
Halogen Free
Halogen Free
Halogen Free
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
80 @ 5mA 10V
160 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 300μA, 10mA
250mV @ 300μA, 10mA
250mV @ 300μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
-
50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
6V
База (R1)
4.7 k Ω
47 k Ω
10 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
100mA
100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
47 k Ω
-
Высота
550μm
-
550μm
Длина
1.25mm
-
1.25mm
Ширина
850μm
-
850μm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free