Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTA143EM3T5G Альтернативные части: DTA114TM3T5G
DTA143EM3T5GON Semiconductor
В наличии: 7714
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.969959 ₽
4.95 ₽
500
3.654354 ₽
1,827.20 ₽
1000
3.045302 ₽
3,045.33 ₽
2000
2.793819 ₽
5,587.64 ₽
5000
2.611044 ₽
13,055.22 ₽
10000
2.428942 ₽
24,289.42 ₽
15000
2.349025 ₽
35,235.44 ₽
50000
2.309780 ₽
115,489.01 ₽
Цена за единицу: 4.969959 ₽
Итоговая цена: 4.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 2 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-723 | SOT-723 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 15 | 160 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 260mW | 260mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DTA143 | DTA114 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 260mW | 260mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 15 @ 5mA 10V | 160 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 4.7 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 4.7 k Ω | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 6V |
Высота | - | 550μm |
Длина | - | 1.25mm |
Ширина | - | 850μm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| DTA114TM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| DTA124EM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |