Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTA124EM3T5G Альтернативные части: DTA143EM3T5G
DTA124EM3T5GON Semiconductor
В наличии: 16000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
30.702418 ₽
30.77 ₽
10
28.964560 ₽
289.70 ₽
100
27.325055 ₽
2,732.55 ₽
500
25.778324 ₽
12,889.15 ₽
1000
24.319190 ₽
24,319.23 ₽
Цена за единицу: 30.702418 ₽
Итоговая цена: 30.77 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 2 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-723 | SOT-723 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 60 | 15 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 260mW | 260mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DTA124 | DTA143 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 260mW | 260mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 60 @ 5mA 10V | 15 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 1mA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 22 k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22 k Ω | 4.7 k Ω |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA143EM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| DTA114YM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| DTA114TM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |