Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTA114TET1G Альтернативные части: DTA114EET1G
DTA114TET1GON Semiconductor
В наличии: 1432
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
18.229560 ₽
18.27 ₽
10
17.197665 ₽
171.98 ₽
100
16.224217 ₽
1,622.39 ₽
500
15.305920 ₽
7,653.02 ₽
1000
14.439533 ₽
14,439.56 ₽
Цена за единицу: 18.229560 ₽
Итоговая цена: 18.27 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | ON SEMICONDUCTOR - DTA114TET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SC75, FULL REEL | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 160 | 35 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | -100mA | 70mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | DTA114 | DTA114 |
Число контактов | 3 | 3 |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 160 @ 5mA 10V | 35 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | - |
База (R1) | 10 k Ω | 10 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Высота | 800μm | 900μm |
Длина | 1.65mm | 1.65mm |
Ширина | 900μm | 900μm |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Выводной напряжение | - | 300mV |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10 k Ω |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA144EET1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | ON SEMICONDUCTOR - DTA144EET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC75, FULL REEL | Для сравнения |
| DTA143ZET1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | ON SEMICONDUCTOR - DTA143ZET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/4.7KOHM, SC75, FULL REEL | Для сравнения |
| DTA114EET1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 | Для сравнения |