DTA114EET1GON Semiconductor
В наличии: 50
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
12.707418 ₽
12.77 ₽
10
11.988132 ₽
119.92 ₽
100
11.309560 ₽
1,130.91 ₽
500
10.669396 ₽
5,334.75 ₽
1000
10.065467 ₽
10,065.52 ₽
Цена за единицу: 12.707418 ₽
Итоговая цена: 12.77 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75 | ON SEMICONDUCTOR - DTA114TET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 10KOHM, SC75, FULL REEL | ON SEMICONDUCTOR - DTA144EET1G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SC75, FULL REEL |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks | 8 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 35 | 160 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2005 | 2005 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | -50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 70mA | -100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | DTA114 | DTA114 | DTA144 |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Выводной напряжение | 300mV | - | - |
Максимальный выходной ток | 100mA | - | - |
Входной напряжение питания | 50V | - | - |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 200mW | 200mW | 200mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free | Halogen Free |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V | 160 @ 5mA 10V | 80 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | - | - |
База (R1) | 10 k Ω | 10 k Ω | 47 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | - | 47 k Ω |
Высота | 900μm | 800μm | 800μm |
Длина | 1.65mm | 1.65mm | 1.65mm |
Ширина | 900μm | 900μm | 900μm |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 6V | 6V |