Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DTA023YUBTL Альтернативные части: DTA143XUAT106
DTA023YUBTLROHM Semiconductor
В наличии: 17700
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
7.373626 ₽
7.42 ₽
10
6.956250 ₽
69.51 ₽
100
6.562500 ₽
656.32 ₽
500
6.191044 ₽
3,095.47 ₽
1000
5.840604 ₽
5,840.66 ₽
Цена за единицу: 7.373626 ₽
Итоговая цена: 7.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SC85 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC | SC-70, SOT-323 |
Количество контактов | 85 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 35 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2016 | 2006 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.5 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1 |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | GULL WING |
Код JESD-30 | R-PDSO-F3 | - |
Выводной напряжение | -70mV | - |
Направленность | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 150mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Максимальная частота | 250MHz | - |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 35 | - |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Код JESD-609 | - | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Завершение | - | SMD/SMT |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | DTA143 |
Число контактов | - | 3 |
Распад мощности | - | 200mW |
Тип транзистора | - | PNP - Pre-Biased |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 30 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота - Переход | - | 250MHz |
База (R1) | - | 4.7 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10 k Ω |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA114GUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTA143EUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |
| DTA143XUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |