DSS5240T-7 Альтернативные части: MMBTA63-7-F ,MMBTA64-7-F

DSS5240T-7Diodes Incorporated

В наличии: 29390

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.478846 ₽
5.49 ₽
10
5.168723 ₽
51.65 ₽
100
4.876154 ₽
487.64 ₽
500
4.600151 ₽
2,300.14 ₽
1000
4.339753 ₽
4,339.70 ₽

Цена за единицу: 5.478846 ₽

Итоговая цена: 5.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDSS5240T-7	иMMBTA63-7-F	иMMBTA64-7-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	TRANS PNP 40V 2A SOT-23	Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Срок поставки от производителя	15 Weeks	19 Weeks	19 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	30V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	300	5000	10000
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2008	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	600mW	300mW	300mW
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	100MHz	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DSS5240	MMBTA63	MMBTA64
Число контактов	3	3	3
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	730mW	-	-
Мощность - Макс	600mW	300mW	300mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	100MHz	-	-
Полярность/Тип канала	PNP	-	-
Тип транзистора	PNP	PNP - Darlington	PNP - Darlington
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	30V	30V
Максимальный ток сбора	2A	500mA	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	210 @ 1A 2V	10000 @ 100mA 5V	20000 @ 100mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	350mV @ 200mA, 2A	1.5V @ 100μA, 100mA	1.5V @ 100μA, 100mA
Частота перехода	100MHz	125MHz	125MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	30V	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	30V	30V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	10V	10V
Высота	1mm	1mm	1mm
Длина	2.9mm	3.05mm	3.05mm
Ширина	1.3mm	1.4mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Серия	-	Automotive, AEC-Q101	Automotive, AEC-Q101
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-30V	-30V
Моментальный ток	-	-500mA	-500mA
Направленность	-	PNP	PNP
Частота - Переход	-	125MHz	125MHz

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMBTA64-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3	Для сравнения
MMBTA64	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMBTA63	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Darlington PNP 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения
MMBTA63-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Trans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R	Для сравнения