DRA5113Z0L Альтернативные части: DTA143EUAT106 ,DTA143ZUAT106

DRA5113Z0LPanasonic Electronic Components

  • DRA5113Z0LPanasonic Electronic Components
  • DTA143EUAT106ROHM Semiconductor
  • DTA143ZUAT106ROHM Semiconductor

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 2.0x2.1mm
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SC-85
SC-70, SOT-323
SC-70, SOT-323
Количество контактов
85
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2008
2009
Состояние изделия
Discontinued
Not For New Designs
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Дополнительная Характеристика
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
-
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
FLAT
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
260
260
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
10
10
Основной номер части
DRA5113
DTA143
DTA143
Код JESD-30
R-PDSO-F3
-
-
Направленность
PNP
PNP
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
SWITCHING
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-50V
300mV
-50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
30 @ 5mA 10V
30 @ 10mA 5V
80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
500nA
500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 500μA, 10mA
300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
База (R1)
1 k Ω
4.7 k Ω
4.7 k Ω
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-100mA
-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)
10 k Ω
4.7 k Ω
47 k Ω
Высота
800μm
-
-
Длина
2mm
-
-
Ширина
1.25mm
-
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Минимальная частота работы в герцах
-
30
80
Код JESD-609
-
e1
e1
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Конечная обработка контакта
-
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Минимальная температура работы
-
-55°C
-55°C
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.75
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-50V
-50V
Моментальный ток
-
-100mA
-100mA
Число контактов
-
3
3
Максимальный выходной ток
-
100mA
-
Входной напряжение питания
-
50V
-
Распад мощности
-
200mW
200mW
Частота перехода
-
250MHz
250MHz
Частота - Переход
-
250MHz
250MHz
Корпусировка на излучение
-
No
No
Без свинца
-
Lead Free
Lead Free
Завершение
-
-
SMD/SMT
Каналов количество
-
-
1
REACH SVHC
-
-
No SVHC