DRA2123J0L Альтернативные части: DSA200100L ,DTA115GKAT146

DRA2123J0LPanasonic Electronic Components

  • DRA2123J0LPanasonic Electronic Components
  • DSA200100LPanasonic Electronic Components
  • DTA115GKAT146ROHM Semiconductor

В наличии: 18000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
TRANS PNP 50V 100MA MINI3
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
Срок поставки от производителя
10 Weeks
10 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
1
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2009
2006
Состояние изделия
Discontinued
Discontinued
Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
150°C
-
150°C
Код ТН ВЭД
8541.21.00.95
8541.21.00.75
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
200mW
200mW
200mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
GULL WING
FLAT
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
260
Код соответствия REACH
unknown
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
10
Основной номер части
DRA2123
DSA2001
DTA115
Направленность
PNP
-
PNP
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Применение транзистора
SWITCHING
AMPLIFIER
SWITCHING
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased
PNP
PNP - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
-50V
500mV
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
210 @ 2mA 10V
82 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
500nA
100μA
500nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
250mV @ 500μA, 10mA
500mV @ 10mA, 100mA
300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
-
База (R1)
2.2 k Ω
-
-
Прямоходящий ток коллектора
-100mA
-100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
47 k Ω
-
100 k Ω
Высота
1.1mm
1.1mm
-
Длина
2.9mm
2.9mm
-
Ширина
1.5mm
1.5mm
-
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Минимальная частота работы в герцах
-
210
82
Рабочая температура
-
150°C TJ
-
Продуктивность полосы частот
-
150MHz
-
Полярность/Тип канала
-
NPN
-
Максимальная частота
-
150MHz
-
Частота перехода
-
150MHz
250MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
-
-60V
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
-
-7V
-
Код JESD-609
-
-
e1
Безоловая кодировка
-
-
yes
Конечная обработка контакта
-
-
TIN SILVER COPPER
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Дополнительная Характеристика
-
-
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
-50V
Моментальный ток
-
-
-100mA
Число контактов
-
-
3
Максимальный выходной ток
-
-
100mA
Входной напряжение питания
-
-
50V
Частота - Переход
-
-
250MHz
Корпусировка на излучение
-
-
No
Без свинца
-
-
Lead Free