Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMTH6004LPS-13 Альтернативные части: IPB120N06S403ATMA2 ,FDMS86568-F085
DMTH6004LPS-13Diodes Incorporated
В наличии: 2494
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
155.430989 ₽
155.49 ₽
10
146.633022 ₽
1,466.35 ₽
100
138.333008 ₽
13,833.24 ₽
500
130.502830 ₽
65,251.37 ₽
1000
123.115920 ₽
123,115.93 ₽
Цена за единицу: 155.430989 ₽
Итоговая цена: 155.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 16 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | 8-PowerTDFN |
Количество контактов | 8 | 3 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 22A Ta 100A Tc | 120A Tc | 80A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 10V | 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 2.6W Ta 138W Tc | 167W Tc | 214W Tj |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2009 | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 2 | - |
Код ECCN | EAR99 | - | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | FLAT | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | R-PSSO-G2 | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 2.8m Ω @ 25A, 10V | 3.2m Ω @ 100A, 10V | 3.5m Ω @ 80A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 4V @ 120μA | 4V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 4515pF @ 30V | 13150pF @ 25V | 4335pF @ 30V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 96.3nC @ 10V | 160nC @ 10V | 71nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 60V | - | 60V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 100A | 120A | 80A |
Максимальный сливовой ток (ID) | 22A | - | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.0031Ohm | 0.0028Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 120A | 480A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 60V | - | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 160 mJ | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вес | - | 1.946308g | 172.8mg |
Время отключения | - | 80 ns | - |
Серия | - | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Каналов количество | - | 1 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Время задержки включения | - | 40 ns | - |
Время подъема | - | 10ns | - |
Время падения (тип) | - | 15 ns | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 20V | - |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | 60V | - |
Высота | - | 4.4mm | - |
Длина | - | 10mm | - |
Ширина | - | 9.25mm | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Состояние жизненного цикла | - | - | LIFETIME (Last Updated: 1 day ago) |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMS86568-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 | Для сравнения |
 | DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 22A | Для сравнения |
 | FDB86566-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK | Для сравнения |
 | IPB120N06S403ATMA2 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | Для сравнения |