DMTH6004LPS-13 Альтернативные части: DMT6004LPS-13 ,FDB86566-F085

DMTH6004LPS-13Diodes Incorporated

В наличии: 2494

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
155.430989 ₽
155.49 ₽
10
146.633022 ₽
1,466.35 ₽
100
138.333008 ₽
13,833.24 ₽
500
130.502830 ₽
65,251.37 ₽
1000
123.115920 ₽
123,115.93 ₽

Цена за единицу: 155.430989 ₽

Итоговая цена: 155.49 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMTH6004LPS-13	иDMT6004LPS-13	иFDB86566-F085
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8	MOSFET N-CH 60V 22A	MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Срок поставки от производителя	22 Weeks	22 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	8-PowerTDFN	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Количество контактов	8	8	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	22A Ta 100A Tc	22A Ta 90A Tc	110A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	10V
Количество элементов	1	1	-
Максимальная мощность рассеяния	2.6W Ta 138W Tc	2.1W Ta 105W Tc	176W Tj
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2015	2014	-
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	5	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	FLAT	FLAT	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Нормативная Марка	AEC-Q101	AEC-Q101	-
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PDSO-F5	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	2.8m Ω @ 25A, 10V	2.8m Ω @ 25A, 10V	2.7m Ω @ 80A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA	4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4515pF @ 30V	4515pF @ 30V	6655pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	96.3nC @ 10V	96.3nC @ 10V	110nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	60V	60V	60V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	100A	90A	110A
Максимальный сливовой ток (ID)	22A	22A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.0031Ohm	-	-
Максимальный импульсный ток вывода	120A	100A	-
Минимальная напряжённость разрушения	60V	60V	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	160 mJ	160 mJ	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Вес	-	-	1.31247g
Серия	-	-	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Безоловая кодировка	-	-	yes
Конфигурация элемента	-	-	Single

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDMS86568-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 60V 80A POWER56	Для сравнения
DMT6004LPS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 60V 22A	Для сравнения
FDB86566-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK	Для сравнения
IPB120N06S403ATMA2	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3	Для сравнения