Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMTH4007SK3-13 Альтернативные части: IRLR8726TRPBF ,FDD8896
DMTH4007SK3-13Diodes Incorporated
В наличии: 2450
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
146.795934 ₽
146.84 ₽
10
138.486703 ₽
1,384.89 ₽
100
130.647898 ₽
13,064.84 ₽
500
123.252747 ₽
61,626.37 ₽
1000
116.276099 ₽
116,276.10 ₽
Цена за единицу: 146.795934 ₽
Итоговая цена: 146.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 12 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 17.6A Ta 76A Tc | 86A Tc | 17A Ta 94A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 3.1W Ta | 75W Tc | 80W Tc |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2016 | 2007 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 30 | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 20A, 10V | 5.8m Ω @ 25A, 10V | 5.7m Ω @ 35A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250μA | 2.35V @ 50μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2082pF @ 25V | 2150pF @ 15V | 2525pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 41.9nC @ 10V | 23nC @ 4.5V | 60nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 76A | 86A | 94A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Время отключения | - | 15 ns | 53 ns |
Количество выводов | - | 2 | 2 |
Положение терминала | - | SINGLE | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Код JESD-30 | - | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 75W | 80W |
Сокетная связка | - | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | - | 12 ns | 9 ns |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Время подъема | - | 49ns | 106ns |
Время падения (тип) | - | 16 ns | 41 ns |
Код JEDEC-95 | - | TO-252AA | TO-252AA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 12V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.058Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Высота | - | 2.3876mm | 2.39mm |
Длина | - | 6.7056mm | 6.73mm |
Ширина | - | 6.22mm | 6.22mm |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Вес | - | - | 260.37mg |
Сопротивление | - | - | 5.7MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 94A |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Пороговое напряжение | - | - | 2.5V |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRLR8726PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
 | IPD90N04S405ATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 | Для сравнения |
| IRLR8726TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | Для сравнения |
| FDD8896 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | Для сравнения |