DMTH4007SK3-13Diodes Incorporated
В наличии: 2450
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
146.795934 ₽
146.84 ₽
10
138.486703 ₽
1,384.89 ₽
100
130.647898 ₽
13,064.84 ₽
500
123.252747 ₽
61,626.37 ₽
1000
116.276099 ₽
116,276.10 ₽
Цена за единицу: 146.795934 ₽
Итоговая цена: 146.84 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK | MOSFET N-CH 30V 86A DPAK | MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313 |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 12 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 17.6A Ta 76A Tc | 86A Tc | 86A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 10V | 4.5V 10V | 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 3.1W Ta | 75W Tc | 65W Tc |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | HEXFET® | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Опубликовано | 2016 | 2004 | 2010 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | - | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 20A, 10V | 5.8m Ω @ 25A, 10V | 5.2m Ω @ 86A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250μA | 2.35V @ 50μA | 4V @ 30μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2082pF @ 25V | 2150pF @ 15V | 2960pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 41.9nC @ 10V | 23nC @ 4.5V | 37nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 76A | 86A | 86A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Время отключения | - | 15 ns | 7 ns |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 5.8MOhm | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Распад мощности | - | 75W | - |
Время задержки включения | - | 12 ns | 9 ns |
Время подъема | - | 49ns | 11ns |
Время падения (тип) | - | 16 ns | 10 ns |
Пороговое напряжение | - | 1.8V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Время восстановления | - | 36 ns | - |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | - |
Высота | - | 2.3876mm | - |
Длина | - | 6.7056mm | - |
Ширина | - | 6.22mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | Contains Lead |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Количество элементов | - | - | 1 |
Количество выводов | - | - | 2 |
Положение терминала | - | - | SINGLE |
Форма вывода | - | - | GULL WING |
Код JESD-30 | - | - | R-PSSO-G2 |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Без галогенов | - | - | Halogen Free |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | - | 40V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.0052Ohm |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 77 mJ |