DMTH4007LPS-13 Альтернативные части: STB80N4F6AG ,DMTH4007SK3-13

DMTH4007LPS-13Diodes Incorporated

В наличии: 390

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
132.404176 ₽
132.42 ₽
10
124.909615 ₽
1,249.04 ₽
100
117.839231 ₽
11,783.93 ₽
500
111.169135 ₽
55,584.62 ₽
1000
104.876484 ₽
104,876.51 ₽

Цена за единицу: 132.404176 ₽

Итоговая цена: 132.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMTH4007LPS-13	иSTB80N4F6AG	иDMTH4007SK3-13
Производитель:	Diodes Incorporated	STMicroelectronics	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK
Срок поставки от производителя	22 Weeks	20 Weeks	23 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Количество контактов	8	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	15.5A Ta 100A Tc	80A Tc	17.6A Ta 76A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	10V	10V
Количество элементов	1	-	-
Максимальная мощность рассеяния	2.7W Ta 150W Tc	70W Tc	3.1W Ta
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2015	-	2016
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	FLAT	-	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Нормативная Марка	AEC-Q101	-	-
Код JESD-30	R-PDSO-F5	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	-
Сокетная связка	DRAIN	-	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6.5m Ω @ 20A, 10V	6m Ω @ 40A, 10V	6m Ω @ 20A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	4V @ 250μA	4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1895pF @ 30V	2150pF @ 25V	2082pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	29.1nC @ 10V	36nC @ 10V	41.9nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	40V	40V	40V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	100A	80A	76A
Максимальный сливовой ток (ID)	15.5A	-	-
Минимальная напряжённость разрушения	40V	-	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	20 mJ	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Серия	-	Automotive, AEC-Q101, STripFET™	Automotive, AEC-Q101
Основной номер части	-	STB80N	-
Безоловая кодировка	-	-	yes
Код соответствия REACH	-	-	not_compliant

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMTH4007SK3-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK	Для сравнения
DMNH4006SPSQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET NCH 40V 110A POWERDI	Для сравнения
BSC050N04LSGATMA1	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP	Для сравнения
STB80N4F6AG	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	Для сравнения