Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMTH4007LPS-13 Альтернативные части: DMNH4006SPSQ-13 ,BSC050N04LSGATMA1
DMTH4007LPS-13Diodes Incorporated
В наличии: 390
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
132.404176 ₽
132.42 ₽
10
124.909615 ₽
1,249.04 ₽
100
117.839231 ₽
11,783.93 ₽
500
111.169135 ₽
55,584.62 ₽
1000
104.876484 ₽
104,876.51 ₽
Цена за единицу: 132.404176 ₽
Итоговая цена: 132.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 17 Weeks | 39 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 15.5A Ta 100A Tc | 110A Tc | 18A Ta 85A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.7W Ta 150W Tc | 1.6W Ta | 2.5W Ta 57W Tc |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2016 | 2004 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 | 5 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 | R-PDSO-F5 |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6.5m Ω @ 20A, 10V | 7m Ω @ 50A, 10V | 5m Ω @ 50A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 4V @ 250μA | 2V @ 27μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1895pF @ 30V | 2280pF @ 25V | 3700pF @ 20V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 29.1nC @ 10V | - | 47nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 40V | 40V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | 20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 100A | 110A | 85A |
Максимальный сливовой ток (ID) | 15.5A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 40V | 40V | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 20 mJ | - | 35 mJ |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Серия | - | Automotive, AEC-Q101 | OptiMOS™ |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | not_compliant |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.007Ohm | 0.0072Ohm |
Безоловая кодировка | - | - | no |
Число контактов | - | - | 8 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Распад мощности | - | - | 57W |
Без галогенов | - | - | Halogen Free |
Время подъема | - | - | 3.8ns |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | - | 20V |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | - | 40V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 340A |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Без свинца | - | - | Contains Lead |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH4007SK3-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CHA 40V 17.6A DPAK | Для сравнения |
 | DMNH4006SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET NCH 40V 110A POWERDI | Для сравнения |
 | BSC050N04LSGATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 40V 18A 8-Pin TDSON EP | Для сравнения |
 | STB80N4F6AG | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | Для сравнения |