DMT6004LPS-13 Альтернативные части: FDD86567-F085 ,DMTH6004LPS-13

DMT6004LPS-13Diodes Incorporated

В наличии: 24222

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
198.606264 ₽
198.63 ₽
10
187.364382 ₽
1,873.63 ₽
100
176.758901 ₽
17,675.82 ₽
500
166.753654 ₽
83,376.79 ₽
1000
157.314780 ₽
157,314.84 ₽

Цена за единицу: 198.606264 ₽

Итоговая цена: 198.63 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMT6004LPS-13	иFDD86567-F085	иDMTH6004LPS-13
Производитель:	Diodes Incorporated	ON Semiconductor	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 60V 22A	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
Срок поставки от производителя	22 Weeks	38 Weeks	22 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	8-PowerTDFN
Количество контактов	8	-	8
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	22A Ta 90A Tc	100A Tc	22A Ta 100A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.1W Ta 105W Tc	227W Tj	2.6W Ta 138W Tc
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	-	2015
Код JESD-609	e3	-	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	2	5
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	FLAT	GULL WING	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED
Код соответствия REACH	not_compliant	not_compliant	not_compliant
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Нормативная Марка	AEC-Q101	-	AEC-Q101
Код JESD-30	R-PDSO-F5	R-PSSO-G2	R-PDSO-F5
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	2.8m Ω @ 25A, 10V	3.2m Ω @ 80A, 10V	2.8m Ω @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	4V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	4515pF @ 30V	4950pF @ 30V	4515pF @ 30V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	96.3nC @ 10V	82nC @ 10V	96.3nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	60V	60V	60V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Непрерывный ток стока (ID)	90A	100A	100A
Максимальный сливовой ток (ID)	22A	-	22A
Максимальный импульсный ток вывода	100A	-	120A
Минимальная напряжённость разрушения	60V	60V	60V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	160 mJ	115 mJ	160 mJ
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-
Вес	-	260.37mg	-
Производитель идентификатор упаковки	-	MKT-TO252A03REV11	-
Серия	-	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	-
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95	-
Конфигурация элемента	-	Single	-
Распад мощности	-	227W	-
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.0032Ohm	0.0031Ohm

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FDD86567-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 60V 100A DPAK	Для сравнения
DMTH6004LPS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8	Для сравнения
DMTH6004SPSQ-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8	Для сравнения
DMTH6004SCTB-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH	Для сравнения