Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMT6004LPS-13 Альтернативные части: DMTH6004SPSQ-13 ,DMTH6004SCTB-13
DMT6004LPS-13Diodes Incorporated
В наличии: 24222
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
198.606264 ₽
198.63 ₽
10
187.364382 ₽
1,873.63 ₽
100
176.758901 ₽
17,675.82 ₽
500
166.753654 ₽
83,376.79 ₽
1000
157.314780 ₽
157,314.84 ₽
Цена за единицу: 198.606264 ₽
Итоговая цена: 198.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 60V 22A | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | MOSFET N-CH |
Срок поставки от производителя | 22 Weeks | 22 Weeks | 22 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Количество контактов | 8 | 8 | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 22A Ta 90A Tc | 25A Ta 100A Tc | 100A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 10V | 10V |
Количество элементов | 1 | - | - |
Максимальная мощность рассеяния | 2.1W Ta 105W Tc | 2.1W Ta 167W Tc | 4.7W Ta 136W Tc |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2015 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | - | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | FLAT | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-F5 | - | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | - |
Сокетная связка | DRAIN | - | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 2.8m Ω @ 25A, 10V | 3.1m Ω @ 50A, 10V | 3.4m Ω @ 100A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 4V @ 250μA | 4V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 4515pF @ 30V | 4556pF @ 30V | 4556pF @ 30V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 96.3nC @ 10V | 95.4nC @ 10V | 95.4nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 60V | 60V | 60V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 90A | 100A | 100A |
Максимальный сливовой ток (ID) | 22A | - | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 100A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 60V | - | - |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | 160 mJ | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD86567-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 100A DPAK | Для сравнения |
 | DMTH6004LPS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8 | Для сравнения |
| DMTH6004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | Для сравнения |
 | DMTH6004SCTB-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH | Для сравнения |