Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP32D4S-7 Альтернативные части: DMN3404L-7 ,BSS316NH6327XTSA1
DMP32D4S-7Diodes Incorporated
В наличии: 25793
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
39.337473 ₽
39.29 ₽
10
37.110783 ₽
371.15 ₽
100
35.010261 ₽
3,500.96 ₽
500
33.028503 ₽
16,514.29 ₽
1000
31.158929 ₽
31,158.93 ₽
Цена за единицу: 39.337473 ₽
Итоговая цена: 39.29 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 15 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 300mA Ta | 5.8A Ta | 1.4A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 3V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 370mW Ta | 720mW Ta | 500mW Ta |
Время отключения | 31.8 ns | 13.92 ns | 5.8 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2013 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | NOT SPECIFIED |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Время задержки включения | 9.86 ns | 3.41 ns | 3.4 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 2.4 Ω @ 300mA, 10V | 28m Ω @ 5.8A, 10V | 160m Ω @ 1.4A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250μA | 2V @ 250μA | 2V @ 3.7μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 51.16pF @ 15V | 386pF @ 15V | 94pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 1.2nC @ 10V | 9.2nC @ 10V | 0.6nC @ 5V |
Время подъема | 11.5ns | 6.18ns | 2.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 21.9 ns | 6.18 ns | 1 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 300mA | 4.2A | 1.4A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Высота | 1mm | 1.1mm | 1.1mm |
Длина | 3mm | 2.9mm | 2.9mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm | 1.3mm |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Вес | - | 7.994566mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Сопротивление | - | 28mOhm | - |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | Not Qualified |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 1.4W | 500mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Пороговое напряжение | - | 1.5V | 1.6V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 5.8A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Номинальное Vgs | - | 1.5 V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Серия | - | - | OptiMOS™ |
Без галогенов | - | - | Halogen Free |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | - | 30V |
Обратная ёмкость-Макс (Crss) | - | - | 7 pF |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
| DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Для сравнения |
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | Для сравнения |