Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP32D4S-7 Альтернативные части: BSS306NH6327XTSA1 ,DMG2307L-7
DMP32D4S-7Diodes Incorporated
В наличии: 25793
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
39.337473 ₽
39.29 ₽
10
37.110783 ₽
371.15 ₽
100
35.010261 ₽
3,500.96 ₽
500
33.028503 ₽
16,514.29 ₽
1000
31.158929 ₽
31,158.93 ₽
Цена за единицу: 39.337473 ₽
Итоговая цена: 39.29 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 10 Weeks | 5 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 300mA Ta | 2.3A Ta | 2.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 370mW Ta | 500mW Ta | 760mW Ta |
Время отключения | 31.8 ns | 8.3 ns | 22.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2011 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | 40 |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Время задержки включения | 9.86 ns | 4.4 ns | 4.8 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 2.4 Ω @ 300mA, 10V | 57m Ω @ 2.3A, 10V | 90m Ω @ 2.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250μA | 2V @ 11μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 51.16pF @ 15V | 275pF @ 15V | 371.3pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 1.2nC @ 10V | 1.5nC @ 5V | 8.2nC @ 10V |
Время подъема | 11.5ns | 2.3ns | 7.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 21.9 ns | - | 13.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 300mA | 2.3A | 3.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Высота | 1mm | 1.1mm | 1mm |
Длина | 3mm | - | 3mm |
Ширина | 1.4mm | - | 1.4mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Производитель идентификатор упаковки | - | PG-SOT23 | - |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Серия | - | OptiMOS™ | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 500mW | 1.36W |
Без галогенов | - | Halogen Free | - |
Пороговое напряжение | - | 1.2V | - |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | 30V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.057Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | - | 7.994566mg |
Применение транзистора | - | - | SWITCHING |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 2.5A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
| DMN3404L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | Для сравнения |
| BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Single N-Channel 30 V 160 mOhm 0.6 nC OptiMOS? Small Signal Mosfet - SOT-23 | Для сравнения |