DMP3130L-7 Альтернативные части: DMN3110S-7

DMP3130L-7Diodes Incorporated

В наличии: 14306

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.879258 ₽
5.91 ₽
10
5.546470 ₽
55.49 ₽
100
5.232514 ₽
523.21 ₽
500
4.936332 ₽
2,468.13 ₽
1000
4.656923 ₽
4,656.87 ₽

Цена за единицу: 5.879258 ₽

Итоговая цена: 5.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP3130L-7	иDMN3110S-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23
Покрытие контактов	Tin	Gold
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3
Вес	7.994566mg	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	3.5A Ta	2.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	2.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	700mW Ta	740mW Ta
Время отключения	27.8 ns	13.1 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2011
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99
Сопротивление	77mOhm	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	3	3
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.4W	1.8W
Время задержки включения	4.6 ns	2.6 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	77m Ω @ 4.2A, 10V	73m Ω @ 3.1mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	432pF @ 15V	305.8pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	12nC @ 10V	8.6nC @ 10V
Время подъема	6.5ns	4.6ns
Угол настройки (макс.)	±12V	±20V
Время падения (тип)	6.5 ns	2.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	3.5A	3.3A
Пороговое напряжение	-600mV	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	12V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V
Высота	1mm	1mm
Длина	2.9mm	3mm
Ширина	1.3mm	1.4mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	15 Weeks
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)
Максимальный сливовой ток (ID)	-	2.5A

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3110S-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23	Для сравнения
DMG2307L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K	Для сравнения
DMN3404L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23	Для сравнения
FDN357N	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3	Для сравнения