Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP3098LSD-13 Альтернативные части: DMG4413LSS-13 ,DMN3033LSD-13
DMP3098LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 1874
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
100.742308 ₽
100.69 ₽
10
95.039904 ₽
950.41 ₽
100
89.660275 ₽
8,966.07 ₽
500
84.585165 ₽
42,292.58 ₽
1000
79.797308 ₽
79,797.25 ₽
Цена за единицу: 100.742308 ₽
Итоговая цена: 100.69 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET P-CH 30V 4.4A 8-Pin SOP T/R | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 850.995985mg | 850.995985mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 17.6 ns | 160 ns | 63 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2008 | 2009 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.8W | - | 2W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Число контактов | 8 | 8 | 8 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.8W | 2.2W | 2W |
Время задержки включения | 6 ns | 15 ns | 11 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 65m Ω @ 5A, 10V | 7.5m Ω @ 13A, 10V | 20m Ω @ 6.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.1V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 336pF @ 25V | 4965pF @ 15V | 725pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 7.8nC @ 10V | 46nC @ 5V | 13nC @ 10V |
Время подъема | 5ns | 9ns | 7ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Время падения (тип) | 5 ns | 66 ns | 30 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.4A | 12A | 6.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.065Ohm | 0.0075Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 5.3mm | 4.95mm | 5.3mm |
Ширина | 4.1mm | 3.95mm | 4.1mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 16 Weeks | 15 Weeks |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 10.5A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.7W Ta | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Напряжение | - | 30V | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Текущий | - | 83A | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Сопротивление | - | - | 22mOhm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 30A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3033LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMP3056LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | P-Channel 30 V 45 mO Enhancement Mode Field Effect Transistor - SOP-8 | Для сравнения |
| DMG4413LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L | Для сравнения |