DMP3085LSS-13 Альтернативные части: DMN3025LSS-13 ,DMS3015SSS-13

DMP3085LSS-13Diodes Incorporated

В наличии: 1840

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
8.001117 ₽
7.96 ₽
10
7.548226 ₽
75.42 ₽
100
7.120964 ₽
712.15 ₽
500
6.717891 ₽
3,358.94 ₽
1000
6.337640 ₽
6,337.71 ₽

Цена за единицу: 8.001117 ₽

Итоговая цена: 7.96 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP3085LSS-13	иDMN3025LSS-13	иDMS3015SSS-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET P-CH 30V 3.8A 8SO	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	MOSFET MOSFET N-CHAN
Срок поставки от производителя	23 Weeks	7 Weeks	7 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	3.8A Ta	7.2A Ta	11A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	-	1
Максимальная мощность рассеяния	1.3W Ta	1.4W Ta	1.55W Ta
Время отключения	31 ns	22.3 ns	29.7 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2013	2009
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Discontinued	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	-	DUAL
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30	40
Нормативная Марка	AEC-Q101	-	-
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	4.8 ns	3.3 ns	15.8 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	70m Ω @ 5.3A, 10V	20m Ω @ 10A, 10V	11.9m Ω @ 11A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	2V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	563pF @ 25V	641pF @ 15V	1276pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	5.2nC @ 4.5V	13.2nC @ 10V	30.6nC @ 10V
Время подъема	5ns	4.4ns	27.8ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±12V
Время падения (тип)	14.6 ns	5.3 ns	13.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	3.8A	7.2A	11A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.07Ohm	-	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-	-
Высота	1.5mm	1.5mm	1.5mm
Длина	4.95mm	4.95mm	4.95mm
Ширина	3.95mm	3.95mm	3.95mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	73.992255mg	73.992255mg
Конфигурация	-	Single	-
Каналов количество	-	1	1
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	30V
Безоловая кодировка	-	-	yes
Число контактов	-	-	8
Распад мощности	-	-	1.55W
Пороговое напряжение	-	-	1.5V
Характеристика ТРП	-	-	Schottky Diode (Body)

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMC3025LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO	Для сравнения
DMN3025LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO	Для сравнения
DMS3015SSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET MOSFET N-CHAN	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения