Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP3085LSD-13 Альтернативные части: DMN3025LSS-13 ,DMC3025LSD-13
DMP3085LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 13
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.897115 ₽
15.93 ₽
10
14.997280 ₽
150.00 ₽
100
14.148379 ₽
1,414.84 ₽
500
13.347527 ₽
6,673.76 ₽
1000
12.592005 ₽
12,592.03 ₽
Цена за единицу: 15.897115 ₽
Итоговая цена: 15.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 7 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.9A | 7.2A Ta | 6.5A 4.2A |
Количество элементов | 2 | - | 2 |
Время отключения | 31 ns | 22.3 ns | 28.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Digi-Reel® | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2013 | 2013 | 2012 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.1W | - | 1.2W |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | 30 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | AEC-Q101 |
Каналов количество | 2 | 1 | 2 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.1W | - | - |
Время задержки включения | 4.8 ns | 3.3 ns | 6.8 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | N-Channel | N and P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 70m Ω @ 5.3A, 10V | 20m Ω @ 10A, 10V | 20m Ω @ 7.4A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 2V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 563pF @ 25V | 641pF @ 15V | 501pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11nC @ 10V | 13.2nC @ 10V | 9.8nC @ 10V |
Время подъема | 5ns | 4.4ns | 4.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Время падения (тип) | 14.6 ns | 5.3 ns | 12.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -3.9A | 7.2A | 4.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.07Ohm | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | 30V | -30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.7mm | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | 4.95mm | 4.95mm | 4.95mm |
Ширина | 3.95mm | 3.95mm | 3.95mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 73.992255mg | 73.992255mg |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.4W Ta | - |
Конфигурация | - | Single | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Основной номер части | - | - | DMC3025 |
Полярность/Тип канала | - | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 5.3A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
| DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | Для сравнения |
 | IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | Для сравнения |