Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP3085LSD-13 Альтернативные части: DMC3032LSD-13 ,IRF8707TRPBF
DMP3085LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 13
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.897115 ₽
15.93 ₽
10
14.997280 ₽
150.00 ₽
100
14.148379 ₽
1,414.84 ₽
500
13.347527 ₽
6,673.76 ₽
1000
12.592005 ₽
12,592.03 ₽
Цена за единицу: 15.897115 ₽
Итоговая цена: 15.93 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 15 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 3.9A | 8.1A 7A | 11A Ta |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 31 ns | 50.1 ns | 7.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Digi-Reel® | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2010 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | 1.1W | 2.5W | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | - |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | 2 | 1 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.1W | - | 2.5W |
Время задержки включения | 4.8 ns | 10.1 ns | 6.7 ns |
Тип ТРВ | 2 P-Channel (Dual) | N and P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 70m Ω @ 5.3A, 10V | 32m Ω @ 7A, 10V | 11.9m Ω @ 11A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.1V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 563pF @ 25V | 404.5pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11nC @ 10V | 9.2nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V |
Время подъема | 5ns | 6.5ns | 7.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | - |
Время падения (тип) | 14.6 ns | 22.2 ns | 4.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | -3.9A | 7A | 11A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.07Ohm | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -30V | -30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | 150°C |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Высота | 1.7mm | - | 1.75mm |
Длина | 4.95mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 3.95mm | - | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Вес | - | 73.992255mg | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Число контактов | - | 8 | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 2.5W Ta |
Серия | - | - | HEXFET® |
Сопротивление | - | - | 11.9MOhm |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±20V |
Пороговое напряжение | - | - | 1.8V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 53 mJ |
Номинальное Vgs | - | - | 1.8 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
| DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | Для сравнения |
 | IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | Для сравнения |