Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMP1245UFCL-7 Альтернативные части: DMN2016LFG-7 ,DMN1150UFB-7B
DMP1245UFCL-7Diodes Incorporated
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
18.835989 ₽
18.82 ₽
10
17.769808 ₽
177.75 ₽
100
16.763970 ₽
1,676.37 ₽
500
15.815055 ₽
7,907.55 ₽
1000
14.919863 ₽
14,919.92 ₽
Цена за единицу: 18.835989 ₽
Итоговая цена: 18.82 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 16 Weeks | 15 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-PowerUFDFN | 8-PowerUDFN | 3-UFDFN |
Количество контактов | 6 | 8 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.6A Ta | - | 1.41A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 1.5V 4.5V | - | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 613mW Ta | - | 500mW Ta |
Время отключения | 219.4 ns | 84.5 ns | 57 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2015 | 2012 | 2013 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e4 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 5 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Положение терминала | DUAL | - | BOTTOM |
Число контактов | 6 | - | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-N3 | S-PDSO-N5 | - |
Каналов количество | 1 | 2 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | - | DRAIN |
Время задержки включения | 15.2 ns | 2.6 ns | 4.1 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 29m Ω @ 4A, 4.5V | 18m Ω @ 6A, 4.5V | 150m Ω @ 1A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 950mV @ 250μA | 1.1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1357.4pF @ 10V | 1472pF @ 10V | 106pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 26.1nC @ 8V | 16nC @ 4.5V | 1.5nC @ 4.5V |
Время подъема | 33.11ns | 13.2ns | 34.5ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | 20V | - |
Угол настройки (макс.) | ±8V | - | ±6V |
Время падения (тип) | 217.64 ns | 46.8 ns | 30 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.6A | 5.2A | 1.41A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 6V |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.029Ohm | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | -12V | - | 12V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Сопротивление | - | 18mOhm | - |
Конечная обработка контакта | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | - | 770mW | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | 30 |
Основной номер части | - | DMN2016L | - |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Высота | - | - | 480μm |
Длина | - | - | 1.08mm |
Ширина | - | - | 675μm |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerUDFN | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | Для сравнения |
 | DMN1150UFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN | Для сравнения |
 | DMP1045UFY4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 | Для сравнения |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Для сравнения |