DMP1245UFCL-7 Альтернативные части: DMN1150UFB-7B ,DMP1045UFY4-7

DMP1245UFCL-7Diodes Incorporated

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
18.835989 ₽
18.82 ₽
10
17.769808 ₽
177.75 ₽
100
16.763970 ₽
1,676.37 ₽
500
15.815055 ₽
7,907.55 ₽
1000
14.919863 ₽
14,919.92 ₽

Цена за единицу: 18.835989 ₽

Итоговая цена: 18.82 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP1245UFCL-7	иDMN1150UFB-7B	иDMP1045UFY4-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN	MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3
Срок поставки от производителя	17 Weeks	15 Weeks	15 Weeks
Покрытие контактов	Gold	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-PowerUFDFN	3-UFDFN	3-XFDFN
Количество контактов	6	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.6A Ta	1.41A Ta	5.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.5V 4.5V	1.8V 4.5V	1.8V 4.5V
Количество элементов	1	1	-
Максимальная мощность рассеяния	613mW Ta	500mW Ta	700mW Ta
Время отключения	219.4 ns	57 ns	74 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2015	2013	2012
Код JESD-609	e4	e4	e4
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Положение терминала	DUAL	BOTTOM	-
Число контактов	6	-	-
Код JESD-30	R-PDSO-N3	-	-
Каналов количество	1	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	-
Время задержки включения	15.2 ns	4.1 ns	14 ns
Тип ТРВ	P-Channel	N-Channel	P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	29m Ω @ 4A, 4.5V	150m Ω @ 1A, 4.5V	32m Ω @ 4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	950mV @ 250μA	1V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1357.4pF @ 10V	106pF @ 10V	1291pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	26.1nC @ 8V	1.5nC @ 4.5V	23.7nC @ 8V
Время подъема	33.11ns	34.5ns	22ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	12V	-	12V
Угол настройки (макс.)	±8V	±6V	±8V
Время падения (тип)	217.64 ns	30 ns	75 ns
Непрерывный ток стока (ID)	6.6A	1.41A	5.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	8V	6V	8V
Сопротивление открытого канала-макс	0.029Ohm	-	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-12V	12V	-12V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Конечная обработка контакта	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	30	-
Высота	-	480μm	-
Длина	-	1.08mm	-
Ширина	-	675μm	-
Без свинца	-	Lead Free	-
Конфигурация	-	-	Single

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2016LFG-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-PowerUDFN	MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN	Для сравнения
DMN1150UFB-7B	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-UFDFN	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN	Для сравнения
DMP1045UFY4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-XFDFN	MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения