DMP1045UFY4-7 Альтернативные части: DMP1245UFCL-7 ,DMG8601UFG-7

DMP1045UFY4-7Diodes Incorporated

В наличии: 2352

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
56.607582 ₽
56.59 ₽
10
53.403407 ₽
534.07 ₽
100
50.380563 ₽
5,038.05 ₽
500
47.528777 ₽
23,764.42 ₽
1000
44.838489 ₽
44,838.46 ₽

Цена за единицу: 56.607582 ₽

Итоговая цена: 56.59 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMP1045UFY4-7	иDMP1245UFCL-7	иDMG8601UFG-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3	MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF	Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8
Срок поставки от производителя	15 Weeks	17 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	3-XFDFN	6-PowerUFDFN	8-PowerUDFN
Количество контактов	3	6	8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.5A Ta	6.6A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	1.8V 4.5V	1.5V 4.5V	-
Максимальная мощность рассеяния	700mW Ta	613mW Ta	-
Время отключения	74 ns	219.4 ns	562 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2012	2015	2011
Код JESD-609	e4	e4	e4
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-	-
Конфигурация	Single	-	-
Каналов количество	1	1	2
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	14 ns	15.2 ns	53 ns
Тип ТРВ	P-Channel	P-Channel	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	32m Ω @ 4A, 4.5V	29m Ω @ 4A, 4.5V	23m Ω @ 6.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	950mV @ 250μA	1.05V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1291pF @ 10V	1357.4pF @ 10V	143pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	23.7nC @ 8V	26.1nC @ 8V	8.8nC @ 4.5V
Время подъема	22ns	33.11ns	78ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	12V	12V	20V
Угол настройки (макс.)	±8V	±8V	-
Время падения (тип)	75 ns	217.64 ns	234 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.5A	6.6A	6.1A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	8V	8V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	-12V	-12V	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Покрытие контактов	-	Gold	Gold
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	2
Количество выводов	-	3	5
Положение терминала	-	DUAL	-
Число контактов	-	6	8
Код JESD-30	-	R-PDSO-N3	R-PDSO-N5
Конфигурация элемента	-	Single	-
Сокетная связка	-	DRAIN	-
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.029Ohm	-
Корпусировка на излучение	-	No	-
Безоловая кодировка	-	-	yes
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности	-	-	920mW
Форма вывода	-	-	NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Основной номер части	-	-	DMG8601UFG
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	-	Logic Level Gate
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMP1245UFCL-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUFDFN	MOSFET 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF	Для сравнения
DMG8601UFG-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-PowerUDFN	Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8	Для сравнения
DMP2066UFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN	Для сравнения