Все продукты

Войти
ПроизводителиЗапрос котировок Блогисвязаться с намикомпании AKCEL

Место отправки: Китай

+852-8177 7669
Главная /Каталог товаров /DMN66D0LDW-7 Против BSS138DW-7-F /

DMN66D0LDW-7 Альтернативные части: BSS138DW-7-F ,BSS84DW-7-F

DMN66D0LDW-7Diodes Incorporated

  • DMN66D0LDW-7Diodes Incorporated
  • BSS138DW-7-FDiodes Incorporated
  • BSS84DW-7-FDiodes Incorporated

В наличии: 799

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    2.313324 ₽

    2.34 ₽

  • 10

    2.182376 ₽

    21.84 ₽

  • 100

    2.058846 ₽

    205.91 ₽

  • 500

    1.942308 ₽

    971.15 ₽

  • 1000

    1.832363 ₽

    1,832.42 ₽

Цена за единицу: 2.313324 ₽

Итоговая цена: 2.34 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
иDMN66D0LDW-7DMN66D0LDW-7
иBSS138DW-7-FBSS138DW-7-F
иBSS84DW-7-FBSS84DW-7-F
Производитель:
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Описание:
MOSFET 250mW 60Vdss
DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount
MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов
6
6
6
Поставщик упаковки устройства
SOT-363
SOT-363
-
Вес
6.010099mg
6.010099mg
6.010099mg
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
115mA Ta
200mA
-
Количество элементов
2
2
2
Время отключения
33 ns
20 ns
18 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
Automotive, AEC-Q101
-
-
Опубликовано
2011
2012
2007
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-
Максимальная потеря мощности
250mW
200mW
300mW
Каналов количество
2
2
2
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
250mW
200mW
300mW
Время задержки включения
10 ns
20 ns
10 ns
Мощность - Макс
250mW Ta
200mW
-
Тип ТРВ
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
2 P-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 115mA, 5V
3.5Ohm @ 220mA, 10V
10 Ω @ 100mA, 5V
Втс(th) (Макс) @ Id
2V @ 250μA
1.5V @ 250μA
2V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
23pF @ 25V
50pF @ 10V
45pF @ 25V
Напряжение стока-исток (Vdss)
60V
50V
50V
Непрерывный ток стока (ID)
115mA
200mA
130mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
60V
75V
-50V
Входной ёмкости
23pF
50pF
-
Характеристика ТРП
Standard
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Сопротивление стока к истоку
6Ohm
3.5Ohm
-
Rds на макс.
5 Ω
3.5 Ω
-
Высота
1mm
1.1mm
1mm
Длина
2.2mm
2.2mm
2.2mm
Ширина
1.35mm
1.35mm
1.35mm
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
-
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Срок поставки от производителя
-
15 Weeks
15 Weeks
Покрытие контактов
-
Tin
Tin
Количество выводов
-
6
6
Сопротивление
-
3.5Ohm
10Ohm
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
-50V
Моментальный ток
-
200mA
-130mA
Пороговое напряжение
-
1.2V
-1.6V
Максимальная температура перехода (Тj)
-
150°C
-
Номинальное Vgs
-
1.2 V
-1.6 V
Минимальная разрушающая напряжение
-
50V
50V
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Код JESD-609
-
-
e3
Безоловая кодировка
-
-
yes
Завершение
-
-
SMD/SMT
Код ECCN
-
-
EAR99
Форма вывода
-
-
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
40
Основной номер части
-
-
BSS84DW
Число контактов
-
-
6
Режим работы
-
-
ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Максимальный сливовой ток (ID)
-
-
0.13A
Двухпитание напряжения
-
-
-50V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
-
-
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

НаименованиеАртикулПроизводительКатегорияУпаковкаОписаниеДля сравнения
DMN65D8LDW-7DMN65D8LDW-7Diodes IncorporatedТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы6-TSSOP, SC-88, SOT-363MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 Для сравнения
BSS138DW-7-FBSS138DW-7-FDiodes IncorporatedТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы6-TSSOP, SC-88, SOT-363DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount Для сравнения
BSS84DW-7-FBSS84DW-7-FDiodes IncorporatedТранзисторы - FET, MOSFET - Массивы6-TSSOP, SC-88, SOT-363MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 Для сравнения
(0 шт.)

Он пуст.