Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN6013LFG-7 Альтернативные части: DMT6009LK3-13 ,IPD50N06S4L12ATMA2
DMN6013LFG-7Diodes Incorporated
В наличии: 14165
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
106.499011 ₽
106.46 ₽
10
100.470783 ₽
1,004.67 ₽
100
94.783736 ₽
9,478.43 ₽
500
89.418585 ₽
44,709.34 ₽
1000
84.357198 ₽
84,357.14 ₽
Цена за единицу: 106.499011 ₽
Итоговая цена: 106.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 |
Срок поставки от производителя | 23 Weeks | 23 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerVDFN | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Количество контактов | 8 | - | - |
Вес | 72.007789mg | - | 3.949996g |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10.3A Ta 45A Tc | 13.3A Ta 57A Tc | 50A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1W Ta | 2.6W Ta | 50W Tc |
Время отключения | 27.6 ns | - | 25 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2015 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | SINGLE | - |
Форма вывода | NO LEAD | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Код JESD-30 | S-PDSO-N5 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 6.2 ns | - | 6 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 13m Ω @ 10A, 10V | 10m Ω @ 13.5A, 10V | 12m Ω @ 50A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2V @ 250μA | 2.2V @ 20μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 2577pF @ 30V | 1925pF @ 30V | 2890pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 55.4nC @ 10V | 33.5nC @ 10V | 40nC @ 10V |
Время подъема | 9.9ns | - | 2ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 60V | 60V | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±16V | ±16V |
Время падения (тип) | 11.7 ns | - | 5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 45A | 57A | 50A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | - | 16V |
Минимальная напряжённость разрушения | 60V | 60V | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | not_compliant |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 13.3A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.01Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 90A | 200A |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 20.6 mJ | 33 mJ |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | - | 60V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD127N06LGBTMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Для сравнения |
 | DMT6009LK3-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 | Для сравнения |
| IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | Для сравнения |
 | BSC097N06NSATMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8 | Для сравнения |