Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN4468LSS-13 Альтернативные части: IRF8707GTRPBF ,IRF8707PBF
DMN4468LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 1377
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
66.202088 ₽
66.21 ₽
10
62.454766 ₽
624.59 ₽
100
58.919670 ₽
5,892.03 ₽
500
55.584519 ₽
27,792.31 ₽
1000
52.438297 ₽
52,438.32 ₽
Цена за единицу: 66.202088 ₽
Итоговая цена: 66.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N CH 30V 10A 8SOP | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | In a Pack of 10, IRF8707PBF N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 10 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 10A Ta | 11A Ta | 11A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.52W Ta | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 18.84 ns | 7.3 ns | 7.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube |
Опубликовано | 2008 | 2005 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 5.46 ns | 6.7 ns | 6.7 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 14m Ω @ 11.6A, 10V | 11.9m Ω @ 11A, 10V | 11.9m Ω @ 11A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.95V @ 250μA | 2.35V @ 25μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 867pF @ 10V | 760pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 18.85nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V | 9.3nC @ 4.5V |
Время подъема | 14.53ns | 7.9ns | 7.9ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 14.53 ns | 4.4 ns | 4.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 10A | 11A | 11A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | 50A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | 1.5mm |
Длина | 4.95mm | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 3.95mm | 3.9878mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Серия | - | HEXFET® | HEXFET® |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Распад мощности | - | 2.5W | 2.5W |
Пороговое напряжение | - | 1.8V | 1.8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V | 1.8 V |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Сопротивление | - | - | 11.9MOhm |
Двухпитание напряжения | - | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 53 mJ |
Время восстановления | - | - | 18 ns |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8707GTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8707PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | In a Pack of 10, IRF8707PBF N-Channel MOSFET, 11 A, 30 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon | Для сравнения |
 | FDS8878 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC | Для сравнения |
| IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC | Для сравнения |