Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3404L-7 Альтернативные части: IRFML8244TRPBF ,DMG2307L-7
DMN3404L-7Diodes Incorporated
В наличии: 75420
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2.665385 ₽
2.61 ₽
10
2.514519 ₽
25.14 ₽
100
2.372184 ₽
237.23 ₽
500
2.237912 ₽
1,118.96 ₽
1000
2.111236 ₽
2,111.26 ₽
Цена за единицу: 2.665385 ₽
Итоговая цена: 2.61 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23 | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 12 Weeks | 5 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 7.994566mg | - | 7.994566mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 5.8A Ta | 5.8A Ta | 2.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 3V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 720mW Ta | 1.25W Ta | 760mW Ta |
Время отключения | 13.92 ns | 9 ns | 22.4 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2008 | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 28mOhm | 41MOhm | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | HIGH RELIABILITY |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 30 | 40 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Каналов количество | 1 | - | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.4W | 1.25W | 1.36W |
Время задержки включения | 3.41 ns | 2.7 ns | 4.8 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 5.8A, 10V | 24m Ω @ 5.8A, 10V | 90m Ω @ 2.5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 2.35V @ 10μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 386pF @ 15V | 430pF @ 10V | 371.3pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.2nC @ 10V | 5.4nC @ 10V | 8.2nC @ 10V |
Время подъема | 6.18ns | 2.1ns | 7.3ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 6.18 ns | 2.9 ns | 13.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.2A | 5.8A | 3.8A |
Пороговое напряжение | 1.5V | 1.7V | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.8A | - | 2.5A |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 25V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Номинальное Vgs | 1.5 V | 1.7 V | - |
Высота | 1.1mm | 1.02mm | 1mm |
Длина | 2.9mm | 3.04mm | 3mm |
Ширина | 1.3mm | 1.4mm | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Производитель идентификатор упаковки | - | Micro3 | - |
Серия | - | HEXFET® | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 24A | - |
Время восстановления | - | 17 ns | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDN360P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3 | Для сравнения |
 | IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 | Для сравнения |
 | DMG2307L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K | Для сравнения |
| DMP3130L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |