Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3025LSS-13 Альтернативные части: DMC3025LSD-13 ,IRF8707TRPBF
DMN3025LSS-13Diodes Incorporated
В наличии: 2500
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
54.688681 ₽
54.67 ₽
10
51.593104 ₽
515.93 ₽
100
48.672734 ₽
4,867.31 ₽
500
45.917679 ₽
22,958.79 ₽
1000
43.318516 ₽
43,318.54 ₽
Цена за единицу: 54.688681 ₽
Итоговая цена: 54.67 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 17 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 73.992255mg | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 7.2A Ta | 6.5A 4.2A | 11A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | - | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 1.4W Ta | - | 2.5W Ta |
Время отключения | 22.3 ns | 28.4 ns | 7.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2012 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Состояние изделия | Discontinued | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 | - |
Конфигурация | Single | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Каналов количество | 1 | 2 | 1 |
Время задержки включения | 3.3 ns | 6.8 ns | 6.7 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N and P-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 20m Ω @ 10A, 10V | 20m Ω @ 7.4A, 10V | 11.9m Ω @ 11A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250μA | 2V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 641pF @ 15V | 501pF @ 15V | 760pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.2nC @ 10V | 9.8nC @ 10V | 9.3nC @ 4.5V |
Время подъема | 4.4ns | 4.9ns | 7.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | ±20V |
Время падения (тип) | 5.3 ns | 12.4 ns | 4.4 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.2A | 4.2A | 11A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | -30V | 30V |
Высота | 1.5mm | 1.5mm | 1.75mm |
Длина | 4.95mm | 4.95mm | 4.9784mm |
Ширина | 3.95mm | 3.95mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 2 | 1 |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Максимальная потеря мощности | - | 1.2W | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Основной номер части | - | DMC3025 | - |
Нормативная Марка | - | AEC-Q101 | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 5.3A | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | - |
Серия | - | - | HEXFET® |
Сопротивление | - | - | 11.9MOhm |
Распад мощности | - | - | 2.5W |
Пороговое напряжение | - | - | 1.8V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 53 mJ |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Номинальное Vgs | - | - | 1.8 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMC3025LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO | Для сравнения |
 | IRF8707TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | Для сравнения |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | Для сравнения |