DMN3018SSS-13 Альтернативные части: DMN4800LSSL-13 ,DMN3030LSS-13

DMN3018SSS-13Diodes Incorporated

В наличии: 2693

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
38.378022 ₽
38.32 ₽
10
36.205632 ₽
362.09 ₽
100
34.156346 ₽
3,415.66 ₽
500
32.222953 ₽
16,111.54 ₽
1000
30.398942 ₽
30,398.90 ₽

Цена за единицу: 38.378022 ₽

Итоговая цена: 38.32 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMN3018SSS-13	иDMN4800LSSL-13	иDMN3030LSS-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	N-Channel 30 V 21 mO 13.2 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	16 Weeks	15 Weeks	7 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	73.992255mg	73.992255mg	850.995985mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	7.3A Ta	8A Ta	9A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.4W Ta	1.46W Ta	2.5W Ta
Время отключения	20.1 ns	26.33 ns	18 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Каналов количество	1	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения	4.3 ns	5.03 ns	3.2 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	21m Ω @ 10A, 10V	14m Ω @ 8A, 10V	18m Ω @ 9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	1.6V @ 250μA	2.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	697pF @ 15V	798pF @ 10V	741pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	13.2nC @ 10V	8.7nC @ 5V	25nC @ 10V
Время подъема	4.4ns	4.5ns	4.5ns
Угол настройки (макс.)	±25V	±20V	±25V
Время падения (тип)	4.1 ns	8.55 ns	14 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.3A	8A	9A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V	25V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.5A	6.7A	9A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Высота	1.5mm	1.5mm	1.5mm
Длина	4.95mm	4.95mm	4.95mm
Ширина	3.95mm	3.95mm	3.95mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Опубликовано	-	2012	2012
Число контактов	-	8	8
Максимальный импульсный ток вывода	-	50A	40A
Конфигурация	-	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN4800LSSL-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO	Для сравнения
DMN3030LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC	Для сравнения
DMC3016LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC	Для сравнения
NTMS4800NR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC	Для сравнения