Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3018SSD-13 Альтернативные части: FDS6612A ,BSO220N03MSGXUMA1
DMN3018SSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.594093 ₽
23.63 ₽
10
22.258585 ₽
222.53 ₽
100
20.998654 ₽
2,099.86 ₽
500
19.810055 ₽
9,905.08 ₽
1000
18.688736 ₽
18,688.74 ₽
Цена за единицу: 23.594093 ₽
Итоговая цена: 23.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | 18 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | 130mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 | 1 |
Время отключения | 20.1 ns | 22 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | - | 2011 |
Код JESD-609 | e3 | e4 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | - |
Максимальная потеря мощности | 1.5W | - | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | NOT SPECIFIED |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 4.3 ns | 7 ns | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 10A, 10V | 22m Ω @ 8.4A, 10V | 22m Ω @ 8.6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 697pF @ 15V | 560pF @ 15V | 800pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.2nC @ 10V | 7.6nC @ 5V | 10.4nC @ 10V |
Время подъема | 4.4ns | 5ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Время падения (тип) | 4.1 ns | 3 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.7A | 8.4A | 7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 60A | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | - |
Высота | 1.5mm | - | - |
Длина | 4.95mm | - | - |
Ширина | 3.95mm | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 8.4A Ta | 7A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | 1.56W Ta |
Серия | - | PowerTrench® | OptiMOS™ |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 22MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Моментальный ток | - | 8.4A | - |
Распад мощности | - | 2.5W | 1.56W |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | ±20V |
Пороговое напряжение | - | 1.9V | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Номинальное Vgs | - | 1.9 V | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Сопротивление открытого канала-макс | - | - | 0.022Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | Для сравнения |
 | SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | Для сравнения |
 | FDS6612A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | Для сравнения |