Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN3018SSD-13 Альтернативные части: BSO220N03MSGXUMA1 ,SI4214DDY-T1-GE3
DMN3018SSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
23.594093 ₽
23.63 ₽
10
22.258585 ₽
222.53 ₽
100
20.998654 ₽
2,099.86 ₽
500
19.810055 ₽
9,905.08 ₽
1000
18.688736 ₽
18,688.74 ₽
Цена за единицу: 23.594093 ₽
Итоговая цена: 23.63 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | - | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | 506.605978mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 20.1 ns | - | 15 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2011 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | PURE MATTE TIN |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | - |
Максимальная потеря мощности | 1.5W | - | 3.1W |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED | 30 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Каналов количество | 2 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Dual |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 4.3 ns | - | 7 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 10A, 10V | 22m Ω @ 8.6A, 10V | 19.5m Ω @ 8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 2.1V @ 250μA | 2.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 697pF @ 15V | 800pF @ 15V | 660pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 13.2nC @ 10V | 10.4nC @ 10V | 22nC @ 10V |
Время подъема | 4.4ns | - | 45ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
Время падения (тип) | 4.1 ns | - | 12 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.7A | 7A | 8.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - | 30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 60A | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Высота | 1.5mm | - | 1.75mm |
Длина | 4.95mm | - | 5mm |
Ширина | 3.95mm | - | 4mm |
REACH SVHC | No SVHC | - | Unknown |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 7A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.56W Ta | - |
Серия | - | OptiMOS™ | TrenchFET® |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Распад мощности | - | 1.56W | 2W |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.022Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V | - |
Сопротивление | - | - | 19.5mOhm |
Число контактов | - | - | 8 |
Пороговое напряжение | - | - | 2.5V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 7.5A |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSO220N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin DSO T/R | Для сравнения |
 | SI4214DDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | Для сравнения |
 | FDS6612A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC | Для сравнения |