Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN2050LFDB-7 Альтернативные части: DMP2066UFDE-7 ,DMP2160UFDB-7
DMN2050LFDB-7Diodes Incorporated
В наличии: 510
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 14 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 1 | 2 |
Время отключения | 25 ns | 79.1 ns | 55.34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2012 | 2012 |
Код JESD-609 | e4 | e4 | e4 |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 3 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 730mW | - | 1.4W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | 40 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Код JESD-30 | S-PDSO-N6 | S-PDSO-N3 | - |
Конфигурация | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 5 ns | 13.7 ns | 11.51 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 45m Ω @ 5A, 4.5V | 36m Ω @ 4.6A, 4.5V | 70m Ω @ 2.8A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1.1V @ 250μA | 900mV @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 389pF @ 10V | 1537pF @ 10V | 536pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12nC @ 10V | 14.4nC @ 4.5V | 6.5nC @ 4.5V |
Время подъема | 8ns | 14ns | 12.09ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | 20V |
Время падения (тип) | 8 ns | 35.5 ns | 12.09 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.3A | 6.2A | 3.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 4.5A | 4.2A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.045Ohm | - | 0.07Ohm |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 6 | 6 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 6.2A Ta | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 1.8V 4.5V | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 660mW Ta | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Dual |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V | -20V |
Высота | - | 580μm | 750μm |
Длина | - | 2.05mm | 2mm |
Ширина | - | 2.05mm | 2mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Число контактов | - | - | 6 |
Распад мощности | - | - | 1.4W |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 13A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | Для сравнения |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Для сравнения |
 | DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XDFN | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | Для сравнения |
 | DMP2066UFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | Для сравнения |