Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN2050LFDB-13 Альтернативные части: NTLTD7900ZR2G ,DMP2104LP-7
DMN2050LFDB-13Diodes Incorporated
В наличии: 23264
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
37.418571 ₽
37.36 ₽
10
35.300591 ₽
353.02 ₽
100
33.302431 ₽
3,330.22 ₽
500
31.417404 ₽
15,708.65 ₽
1000
29.639052 ₽
29,639.01 ₽
Цена за единицу: 37.418571 ₽
Итоговая цена: 37.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN |
Срок поставки от производителя | 15 Weeks | - | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | 8-VDFN Exposed Pad | 3-XDFN |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 25 ns | 1.87 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2009 | 2007 |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e4 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 8 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | ESD PROTECTED | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 730mW | 1.5W | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 | 40 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Код JESD-30 | S-PDSO-N6 | - | - |
Конфигурация | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | DRAIN |
Время задержки включения | 5 ns | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 45m Ω @ 5A, 4.5V | 26m Ω @ 6.5A, 4.5V | 150m Ω @ 950mA, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 389pF @ 10V | 15pF @ 16V | 320pF @ 16V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 12nC @ 10V | 18nC @ 4.5V | - |
Время подъема | 8ns | 1.17ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | 20V |
Время падения (тип) | 8 ns | 1.17 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.3A | 6A | 1.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 4.5A | 6A | - |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.045Ohm | 0.026Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - |
Количество контактов | - | 8 | 3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | - |
Форма вывода | - | NO LEAD | - |
Моментальный ток | - | 9A | - |
Основной номер части | - | NTLTD7900Z | - |
Число контактов | - | 8 | 3 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Распад мощности | - | 1.5W | 500mW |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V | -20V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 30A | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | - | Gold |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 1.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 500mW Ta |
Сопротивление | - | - | 240mOhm |
Положение терминала | - | - | BOTTOM |
Каналов количество | - | - | 1 |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±12V |
Пороговое напряжение | - | - | -1V |
Высота | - | - | 480μm |
Длина | - | - | 1.4mm |
Ширина | - | - | 1.1mm |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP2160UFDB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 20V 3.8A DUAL P-CHAN | Для сравнения |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Для сравнения |
 | DMP2104LP-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XDFN | MOSFET P-CH 20V 1.5A 3-DFN | Для сравнения |
 | DMP2066UFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | Для сравнения |