Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN10H170SVTQ-7 Альтернативные части: ZXMN10B08E6TA ,FDC3612
DMN10H170SVTQ-7Diodes Incorporated
В наличии: 437
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
82.512747 ₽
82.55 ₽
10
77.842239 ₽
778.43 ₽
100
73.436058 ₽
7,343.54 ₽
500
69.279327 ₽
34,639.70 ₽
1000
65.357871 ₽
65,357.83 ₽
Цена за единицу: 82.512747 ₽
Итоговая цена: 82.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 6-Pin SOT-23 T/R | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 17 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.6A Ta | 1.6A Ta | 2.6A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.3V 10V | 6V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 1.2W Ta | 1.1W Ta | 1.6W Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2006 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 | 30 |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 160m Ω @ 5A, 10V | 230m Ω @ 1.6A, 10V | 125m Ω @ 2.6A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 4V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1167pF @ 25V | 497pF @ 50V | 660pF @ 50V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.7nC @ 10V | 9.2nC @ 10V | 20nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 100V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.6A | 1.9A | 2.6A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 6 | 6 |
Вес | - | 14.996898mg | 36mg |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Время отключения | - | 12.1 ns | 23 ns |
Количество выводов | - | 6 | 6 |
Сопротивление | - | 230mOhm | 125MOhm |
Дополнительная Характеристика | - | LOW THRESHOLD | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 100V | 100V |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | - | 1.9A | 2.6A |
Число контактов | - | 6 | - |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 1.7W | 1.6W |
Время задержки включения | - | 2.9 ns | 6 ns |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Время подъема | - | 2.1ns | 3.5ns |
Время падения (тип) | - | 2.1 ns | 3.5 ns |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 100V | 100V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 9A | - |
Высота | - | 1.3mm | 1.1mm |
Длина | - | 3.1mm | 3mm |
Ширина | - | 1.8mm | 1.7mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Серия | - | - | PowerTrench® |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Пороговое напряжение | - | - | 2.3V |
Двухпитание напряжения | - | - | 100V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | - | 150°C |
Номинальное Vgs | - | - | 2.3 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDC3612 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
 | DMN10H220LVT-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26 | Для сравнения |
| FDC3535 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench | Для сравнения |
 | ZXMN10B08E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.9A 6-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |