Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN10H170SVT-7 Альтернативные части: ZXMN2A01E6TA ,NDC632P
DMN10H170SVT-7Diodes Incorporated
В наличии: 2376
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
72.918242 ₽
72.94 ₽
10
68.790783 ₽
687.91 ₽
100
64.896951 ₽
6,489.70 ₽
500
61.223599 ₽
30,611.81 ₽
1000
57.758063 ₽
57,758.10 ₽
Цена за единицу: 72.918242 ₽
Итоговая цена: 72.94 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 17 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.6A Ta | 2.5A Ta | 2.7A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 2.5V 4.5V | 2.7V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | 1.2W Ta | 1.1W Ta | 1.6W Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2006 | 1998 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 40 | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 160m Ω @ 5A, 10V | 120m Ω @ 4A, 4.5V | 140m Ω @ 2.7A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 700mV @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1167pF @ 25V | 303pF @ 15V | 550pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.7nC @ 10V | 3nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 100V | - | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±12V | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.6A | 3.1A | 2.7A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 6 | 6 |
Вес | - | 14.996898mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Время отключения | - | 7.47 ns | 25 ns |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 6 | - |
Сопротивление | - | 120mOhm | - |
Дополнительная Характеристика | - | LOW THRESHOLD | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | -20V |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Моментальный ток | - | 2.5A | -2.7A |
Число контактов | - | 6 | - |
Каналов количество | - | 1 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | - | 1.7W | 1.6W |
Время задержки включения | - | 2.49 ns | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Время подъема | - | 5.21ns | 40ns |
Время падения (тип) | - | 5.21 ns | 40 ns |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 12V | -8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V | -20V |
Высота | - | 1.3mm | - |
Длина | - | 3.1mm | - |
Ширина | - | 1.8mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NDC632P | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 | Для сравнения |
| FDC3535 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET MOSFET; -80V P-Chan PowerTrench | Для сравнения |
| FDFC2P100 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV | Для сравнения |
 | ZXMN2A01E6TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 | MOSFET 20V N-Chnl UMOS | Для сравнения |