DMN10H170SVT-7 Альтернативные части: FDFC2P100 ,ZXMN2A01E6TA

DMN10H170SVT-7Diodes Incorporated

  • DMN10H170SVT-7Diodes Incorporated
  • FDFC2P100ON Semiconductor
  • ZXMN2A01E6TADiodes Incorporated

В наличии: 2376

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    72.918242 ₽

    72.94 ₽

  • 10

    68.790783 ₽

    687.91 ₽

  • 100

    64.896951 ₽

    6,489.70 ₽

  • 500

    61.223599 ₽

    30,611.81 ₽

  • 1000

    57.758063 ₽

    57,758.10 ₽

Цена за единицу: 72.918242 ₽

Итоговая цена: 72.94 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDFC2P100 MOSFET Transistor, P Channel, 3 A, -20 V, 150 mohm, -4.5 V, -900 mV
MOSFET 20V N-Chnl UMOS
Срок поставки от производителя
17 Weeks
-
17 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
SOT-23-6
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
2.6A Ta
3A Ta
2.5A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
4.5V 10V
2.5V 4.5V
2.5V 4.5V
Максимальная мощность рассеяния
1.2W Ta
1.5W Ta
1.1W Ta
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2015
2006
2006
Код JESD-609
e3
-
e3
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
-
EAR99
Конечная обработка контакта
Matte Tin (Sn)
-
Matte Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
40
Тип ТРВ
N-Channel
P-Channel
N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
160m Ω @ 5A, 10V
150m Ω @ 3A, 4.5V
120m Ω @ 4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id
3V @ 250μA
1.5V @ 250μA
700mV @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
1167pF @ 25V
445pF @ 10V
303pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
9.7nC @ 10V
4.7nC @ 10V
3nC @ 4.5V
Напряжение стока-исток (Vdss)
100V
20V
-
Угол настройки (макс.)
±20V
±12V
±12V
Непрерывный ток стока (ID)
2.6A
3A
3.1A
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
Количество контактов
-
6
6
Время отключения
-
12 ns
7.47 ns
Серия
-
PowerTrench®
-
Распад мощности
-
1.5W
1.7W
Напряжённая мощность
-
1mA
-
Время подъема
-
11ns
5.21ns
Время падения (тип)
-
11 ns
5.21 ns
Пороговое напряжение
-
-900mV
-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
-
12V
12V
Напряжение пробоя стока к истоку
-
-20V
20V
Характеристика ТРП
-
Schottky Diode (Isolated)
-
REACH SVHC
-
No SVHC
No SVHC
Вес
-
-
14.996898mg
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Безоловая кодировка
-
-
yes
Количество выводов
-
-
6
Сопротивление
-
-
120mOhm
Дополнительная Характеристика
-
-
LOW THRESHOLD
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
20V
Положение терминала
-
-
DUAL
Форма вывода
-
-
GULL WING
Моментальный ток
-
-
2.5A
Число контактов
-
-
6
Каналов количество
-
-
1
Конфигурация элемента
-
-
Single
Режим работы
-
-
ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения
-
-
2.49 ns
Применение транзистора
-
-
SWITCHING
Высота
-
-
1.3mm
Длина
-
-
3.1mm
Ширина
-
-
1.8mm
Корпусировка на излучение
-
-
No
Без свинца
-
-
Lead Free