Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMN10H170SFDE-7 Альтернативные части: SI2392ADS-T1-GE3 ,FDT3612
DMN10H170SFDE-7Diodes Incorporated
В наличии: 2853
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
72.918242 ₽
72.94 ₽
10
68.790783 ₽
687.91 ₽
100
64.896951 ₽
6,489.70 ₽
500
61.223599 ₽
30,611.81 ₽
1000
57.758063 ₽
57,758.10 ₽
Цена за единицу: 72.918242 ₽
Итоговая цена: 72.94 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 | ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 14 Weeks | 8 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-UDFN Exposed Pad | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-261-4, TO-261AA |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.9A Ta | 3.1A Tc | 3.7A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 6V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | 660mW Ta | 1.25W Ta 2.5W Tc | 3W Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2015 | 2015 | - |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Matte Tin (Sn) | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 30 | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 160m Ω @ 5A, 10V | 126m Ω @ 2A, 10V | 120m Ω @ 3.7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 4V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1167pF @ 25V | 196pF @ 50V | 632pF @ 50V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.7nC @ 10V | 10.4nC @ 10V | 20nC @ 10V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 100V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.9A | 2.2A | 3.7A |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Время отключения | - | 10 ns | 23 ns |
Серия | - | TrenchFET® | PowerTrench® |
Количество выводов | - | 3 | 4 |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Каналов количество | - | 1 | 1 |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | - | 1.25W | 3W |
Время задержки включения | - | 8 ns | 8.5 ns |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Пороговое напряжение | - | 3V | 2.5V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 100V | 100V |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | 150°C |
Высота | - | 1.12mm | 1.8mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Вес | - | - | 250.2mg |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Сопротивление | - | - | 120MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 100V |
Моментальный ток | - | - | 3.7A |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G4 |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Время подъема | - | - | 2ns |
Время падения (тип) | - | - | 4.5 ns |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 20A |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | - | 90 mJ |
Номинальное Vgs | - | - | 2.5 V |
Длина | - | - | 6.5mm |
Ширина | - | - | 3.56mm |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZXMP7A17GTA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223 | Для сравнения |
 | FDC3612 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
 | SI2392ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 | Для сравнения |
 | FDT3612 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-261-4, TO-261AA | ON SEMICONDUCTOR - FDT3612 - MOSFET Transistor, N Channel, 3.7 A, 100 V, 0.12 ohm, 10 V, 2.5 V | Для сравнения |