DMMT2907A-7 Альтернативные части: DMB2227A-7 ,IMT17-7

DMMT2907A-7Diodes Incorporated

В наличии: 5795

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
14.024670 ₽
14.01 ₽
10
13.230824 ₽
132.28 ₽
100
12.481882 ₽
1,248.21 ₽
500
11.775426 ₽
5,887.77 ₽
1000
11.108805 ₽
11,108.79 ₽

Цена за единицу: 14.024670 ₽

Итоговая цена: 14.01 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMMT2907A-7	иDMB2227A-7	иIMT17-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 6-Pin SOT-26 T/R	Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA	Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo
Срок поставки от производителя	6 Weeks	16 Weeks	19 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-23-6	SOT-23-6	SOT-23-6
Количество контактов	6	6	6
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	60V	60V	50V
Количество элементов	2	2	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2005	2009
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Discontinued	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	-
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	-	-
Максимальная потеря мощности	1.28W	300mW	300mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	DMMT2907	-	MT17
Число контактов	6	6	6
Направленность	PNP	NPN, PNP	PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Мощность - Макс	900mW	-	-
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	307MHz	300MHz	200MHz
Тип транзистора	2 PNP (Dual)	NPN, PNP	2 PNP (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	1.6V	1V	50V
Максимальный ток сбора	600mA	600mA	500mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	100 @ 150mA 10V	100 @ 150mA 10V	120 @ 100mA 3V
Ток - отсечка коллектора (макс)	10nA ICBO	10nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA	1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA	600mV @ 50mA, 500mA
Частота перехода	307MHz	300MHz	200MHz
Максимальное напряжение разрушения	60V	60V	50V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	-60V	75V	60V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	-5V	5V	5V
Прямоходящий ток коллектора	-600mA	-	-
Время выключения максимальное (toff)	200ns	-	-
Время включения максимальный (тон)	21ns	-	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Вес	-	29.993795mg	29.993795mg
Минимальная частота работы в герцах	-	35	-
Частота	-	300MHz	200MHz
Распад мощности	-	300mW	300mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	40V 60V	-
Частота - Переход	-	300MHz 200MHz	-
Высота	-	1.1mm	1.1mm
Длина	-	3mm	3mm
Ширина	-	1.6mm	1.6mm
Покрытие контактов	-	-	Tin
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
MMDT2227M-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26	Для сравнения
DMB2227A-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT 300mW +/-600mA	Для сравнения
IMT17-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	SOT-23-6	Bipolar Transistors - BJT 300mW -50Vceo	Для сравнения
RN4606(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V	Для сравнения