Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMHC10H170SFJ-13 Альтернативные части: FDC3612 ,DMN10H170SFDE-7
DMHC10H170SFJ-13Diodes Incorporated
В наличии: 7465
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
116.093516 ₽
116.07 ₽
10
109.522143 ₽
1,095.19 ₽
100
103.322843 ₽
10,332.28 ₽
500
97.474327 ₽
48,737.23 ₽
1000
91.956909 ₽
91,956.87 ₽
Цена за единицу: 116.093516 ₽
Итоговая цена: 116.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12 | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
Срок поставки от производителя | 18 Weeks | 6 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 12-VDFN Exposed Pad | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6-UDFN Exposed Pad |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.9A 2.3A | 2.6A Ta | 2.9A Ta |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2012 | 2015 | 2015 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e4 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Максимальная потеря мощности | 2.1W | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 30 | NOT SPECIFIED |
Каналов количество | 4 | 1 | - |
Распад мощности | 2.1W | 1.6W | - |
Тип ТРВ | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 160m Ω @ 5A, 10V | 125m Ω @ 2.6A, 10V | 160m Ω @ 5A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 4V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1167pF @ 25V | 660pF @ 50V | 1167pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 9.7nC @ 10V | 20nC @ 10V | 9.7nC @ 10V |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.3A | 2.6A | 2.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 100V | 100V | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | 150°C | - |
Характеристика ТРП | Standard | - | - |
Высота | 850μm | 1.1mm | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - |
Количество контактов | - | 6 | - |
Вес | - | 36mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 6V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | - | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.6W Ta | 660mW Ta |
Время отключения | - | 23 ns | - |
Серия | - | PowerTrench® | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 6 | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 125MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 100V | - |
Положение терминала | - | DUAL | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Моментальный ток | - | 2.6A | - |
Конфигурация элемента | - | Single | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | - |
Время задержки включения | - | 6 ns | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Время подъема | - | 3.5ns | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | - | 3.5 ns | - |
Пороговое напряжение | - | 2.3V | - |
Двухпитание напряжения | - | 100V | - |
Номинальное Vgs | - | 2.3 V | - |
Длина | - | 3mm | - |
Ширина | - | 1.7mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 100V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Для сравнения |
| DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 | Для сравнения |
 | FDC3612 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin SuperSOT T/R | Для сравнения |
 | DMN10H170SFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN | Для сравнения |