Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMG8601UFG-7 Альтернативные части: NTLTD7900ZR2G ,DMP2066UFDE-7
DMG8601UFG-7Diodes Incorporated
В наличии: 7889
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
16.214423 ₽
16.21 ₽
10
15.296621 ₽
153.02 ₽
100
14.430783 ₽
1,443.13 ₽
500
13.613942 ₽
6,807.01 ₽
1000
12.843338 ₽
12,843.41 ₽
Цена за единицу: 16.214423 ₽
Итоговая цена: 16.21 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Dual N-Channel 20 V 34 mOhm 8.8 nC 0.92 W Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-8 | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | - | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Gold | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerUDFN | 8-VDFN Exposed Pad | 6-UDFN Exposed Pad |
Количество контактов | 8 | 8 | 6 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Время отключения | 562 ns | 1.87 ns | 79.1 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2009 | 2012 |
Код JESD-609 | e4 | e3 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 8 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | ESD PROTECTED | HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 920mW | 1.5W | - |
Форма вывода | NO LEAD | NO LEAD | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | DMG8601UFG | NTLTD7900Z | - |
Число контактов | 8 | 8 | - |
Код JESD-30 | R-PDSO-N5 | - | S-PDSO-N3 |
Квалификационный Статус | Not Qualified | Not Qualified | - |
Каналов количество | 2 | - | 1 |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 53 ns | - | 13.7 ns |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 6.5A, 4.5V | 26m Ω @ 6.5A, 4.5V | 36m Ω @ 4.6A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.05V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 143pF @ 10V | 15pF @ 16V | 1537pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V | 18nC @ 4.5V | 14.4nC @ 4.5V |
Время подъема | 78ns | 1.17ns | 14ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | - |
Время падения (тип) | 234 ns | 1.17 ns | 35.5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 6.1A | 6A | 6.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 12V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | - |
Моментальный ток | - | 9A | - |
Конфигурация | - | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | - |
Распад мощности | - | 1.5W | - |
Сокетная связка | - | DRAIN | DRAIN |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 6A | 4.2A |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.026Ohm | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V | 20V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 30A | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 6.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 660mW Ta |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Конфигурация элемента | - | - | Single |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±12V |
Высота | - | - | 580μm |
Длина | - | - | 2.05mm |
Ширина | - | - | 2.05mm |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN2016LFG-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-PowerUDFN | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | Для сравнения |
 | DMN2016LHAB-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN | Для сравнения |
 | NTLTD7900ZR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-VDFN Exposed Pad | MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO | Для сравнения |
 | DMP2066UFDE-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET P-CH 20V 6.2A 6DFN | Для сравнения |