Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMG6898LSDQ-13 Альтернативные части: IRF8910TRPBF ,DMN2028USS-13
DMG6898LSDQ-13Diodes Incorporated
В наличии: 12362
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
83.472198 ₽
83.52 ₽
10
78.747390 ₽
787.50 ₽
100
74.289973 ₽
7,428.98 ₽
500
70.084890 ₽
35,042.45 ₽
1000
66.117747 ₽
66,117.72 ₽
Цена за единицу: 83.472198 ₽
Итоговая цена: 83.52 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 12 Weeks | 16 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Количество элементов | 2 | 2 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2008 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | - | ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY |
Максимальная потеря мощности | 1.28W | 2W | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Конфигурация | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Мощность - Макс | 1.28W | - | - |
Тип ТРВ | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 16m Ω @ 9.4A, 4.5V | 13.4m Ω @ 10A, 10V | 20m Ω @ 9.4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 2.55V @ 250μA | 1.3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1149pF @ 10V | 960pF @ 10V | 1000pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 26nC @ 10V | 11nC @ 4.5V | 11.6nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 9.5A | 10A | 9.8A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.016Ohm | - | 0.02Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | 30A | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Standard | Logic Level Gate | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Время отключения | - | 9.7 ns | 35.89 ns |
Серия | - | HEXFET® | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 13.4MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | - |
Моментальный ток | - | 10A | - |
Основной номер части | - | IRF8910PBF | - |
Конфигурация элемента | - | Dual | Single |
Распад мощности | - | 2W | 1.56W |
Время задержки включения | - | 6.2 ns | 11.67 ns |
Время подъема | - | 10ns | 12.49ns |
Время падения (тип) | - | 4.1 ns | 12.33 ns |
Пороговое напряжение | - | 2.55V | 1V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | - | 20V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 20V | 20V |
Двухпитание напряжения | - | 20V | - |
Номинальное Vgs | - | 2.55 V | - |
Высота | - | 1.5mm | 1.5mm |
Длина | - | 5mm | 5mm |
Ширина | - | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Вес | - | - | 73.992255mg |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | - | 7.3A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | - | 1.5V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | - | 1.56W Ta |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Число контактов | - | - | 8 |
Каналов количество | - | - | 1 |
Угол настройки (макс.) | - | - | ±8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | - | 5.6A |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | Для сравнения |
 | DMN2028USS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 20V N-Channel Enhancement MOSFET SOIC8 | Для сравнения |
| IRF9910PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC | Для сравнения |