Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /DMG4800LFG-7 Против DMP2018LFK-7 /

DMG4800LFG-7 Альтернативные части: DMP2018LFK-7 ,DMN2014LHAB-7

DMG4800LFG-7Diodes Incorporated

В наличии: 8449

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иDMG4800LFG-7	иDMP2018LFK-7	иDMN2014LHAB-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Срок поставки от производителя	16 Weeks	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerUDFN	6-PowerUDFN	6-UFDFN Exposed Pad
Количество контактов	8	6	7
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	7.44A Ta	9.2A Ta	9A
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	1.5V 4.5V	-
Количество элементов	1	1	-
Максимальная мощность рассеяния	940mW Ta	1W Ta	-
Время отключения	26.33 ns	240.8 ns	40.9 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Digi-Reel®	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2012	2015
Код JESD-609	e4	e4	e4
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	4	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	30
Число контактов	8	6	-
Код JESD-30	S-PDSO-N5	R-PDSO-N4	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
Каналов количество	1	1	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	-
Время задержки включения	5.03 ns	22.8 ns	6.9 ns
Тип ТРВ	N-Channel	P-Channel	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	17m Ω @ 9A, 10V	16m Ω @ 3.6A, 4.5V	13m Ω @ 4A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	1.2V @ 200μA	1.1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	798pF @ 10V	4748pF @ 10V	1550pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	9.47nC @ 5V	113nC @ 10V	16nC @ 4.5V
Время подъема	4.5ns	29.8ns	15.5ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	20V
Угол настройки (макс.)	±25V	±12V	-
Время падения (тип)	8.55 ns	100.6 ns	12 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.44A	9.2A	9.3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	12V	12V
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	-
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Конфигурация элемента	-	Single	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-	20V	-
Максимальный импульсный ток вывода	-	90A	-
Высота	-	580μm	600μm
Длина	-	2.55mm	3.05mm
Ширина	-	2.35mm	2.05mm
Без свинца	-	Lead Free	-
Максимальная потеря мощности	-	-	800mW
Характеристика ТРП	-	-	Logic Level Gate

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2014LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UFDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	Для сравнения
DMN4020LFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET N-CH 40V 6-UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения
DMP2018LFK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	Для сравнения