Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /DMG4800LFG-7 Против DMN4020LFDE-7 /

DMG4800LFG-7 Альтернативные части: DMN4020LFDE-7 ,NTLTD7900ZR2G

DMG4800LFG-7Diodes Incorporated

В наличии: 8449

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иDMG4800LFG-7	иDMN4020LFDE-7	иNTLTD7900ZR2G
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN	MOSFET N-CH 40V 6-UDFN	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
Срок поставки от производителя	16 Weeks	22 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerUDFN	6-UDFN Exposed Pad	8-VDFN Exposed Pad
Количество контактов	8	6	8
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	7.44A Ta	8A Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	-
Количество элементов	1	-	2
Максимальная мощность рассеяния	940mW Ta	660mW Ta	-
Время отключения	26.33 ns	15.1 ns	1.87 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Digi-Reel®	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2013	2009
Код JESD-609	e4	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	-	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Число контактов	8	-	8
Код JESD-30	S-PDSO-N5	-	-
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Каналов количество	1	1	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Сокетная связка	DRAIN	-	DRAIN
Время задержки включения	5.03 ns	5.3 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	17m Ω @ 9A, 10V	20m Ω @ 8A, 10V	26m Ω @ 6.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.5V @ 250μA	2.4V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	798pF @ 10V	1060pF @ 20V	15pF @ 16V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	9.47nC @ 5V	19.1nC @ 10V	18nC @ 4.5V
Время подъема	4.5ns	7.1ns	1.17ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Угол настройки (макс.)	±25V	±20V	-
Время падения (тип)	8.55 ns	4.8 ns	1.17 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.44A	8A	6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V	12V
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-	-
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Конфигурация элемента	-	Single	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-	40V	20V
Высота	-	580μm	-
Длина	-	2.05mm	-
Ширина	-	2.05mm	-
Состояние жизненного цикла	-	-	LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Дополнительная Характеристика	-	-	ESD PROTECTED
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	20V
Максимальная потеря мощности	-	-	1.5W
Форма вывода	-	-	NO LEAD
Моментальный ток	-	-	9A
Основной номер части	-	-	NTLTD7900Z
Квалификационный Статус	-	-	Not Qualified
Распад мощности	-	-	1.5W
Максимальный сливовой ток (ID)	-	-	6A
Сопротивление открытого канала-макс	-	-	0.026Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	-	-	30A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	-	-	Logic Level Gate
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN2014LHAB-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-UFDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN	Для сравнения
DMN4020LFDE-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-UDFN Exposed Pad	MOSFET N-CH 40V 6-UDFN	Для сравнения
NTLTD7900ZR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-VDFN Exposed Pad	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO	Для сравнения
DMP2018LFK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	6-PowerUDFN	MOSFET P-CH 20V 9.2A 6-DFN	Для сравнения