DMC3028LSD-13 Альтернативные части: IRF7807VTRPBF ,DMN3024LSD-13

DMC3028LSD-13Diodes Incorporated

В наличии: 3892

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
22.211538 ₽
22.25 ₽
10
20.954286 ₽
209.48 ₽
100
19.768187 ₽
1,976.79 ₽
500
18.649231 ₽
9,324.59 ₽
1000
17.593613 ₽
17,593.68 ₽

Цена за единицу: 22.211538 ₽

Итоговая цена: 22.25 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иDMC3028LSD-13	иIRF7807VTRPBF	иDMN3024LSD-13
Производитель:	Diodes Incorporated	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Срок поставки от производителя	17 Weeks	10 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	73.992255mg	-	73.992255mg
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	6.6A 6.8A	8.3A Ta	6.8A
Количество элементов	2	1	2
Время отключения	44 ns	11 ns	16 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Digi-Reel®	Tape & Reel (TR)	Digi-Reel®
Опубликовано	2009	2003	2009
Код JESD-609	e3	-	e3
Безоловая кодировка	yes	-	yes
Состояние изделия	Active	Not For New Designs	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	-	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности	1.8W	-	1.8W
Положение терминала	DUAL	-	-
Форма вывода	GULL WING	-	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	40
Основной номер части	DMC3028LSD	-	DMN3024LSD
Число контактов	8	-	8
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	-	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.1W	2.5W	2W
Время задержки включения	3.5 ns	6.3 ns	2.9 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	-	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	28m Ω @ 6A, 10V	25m Ω @ 7A, 4.5V	24m Ω @ 7A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	472pF @ 15V	-	608pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	10.5nC @ 10V	14nC @ 5V	12.9nC @ 10V
Время подъема	4.9ns	1.2ns	3.3ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-	-
Время падения (тип)	28 ns	2.2 ns	8 ns
Непрерывный ток стока (ID)	7.4A	8.3A	7.2A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	5.5A	-	5.7A
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	-	Logic Level Gate
Высота	1.5mm	1.4986mm	-
Длина	5mm	4.9784mm	-
Ширина	4mm	3.9878mm	-
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	4.5V	-
Максимальная мощность рассеяния	-	2.5W Ta	-
Серия	-	HEXFET®	-
Сопротивление	-	25MOhm	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	8.3A	-
Конфигурация	-	Single	-
Угол настройки (макс.)	-	±20V	-

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMN3024LSD-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO	Для сравнения
IRF7807VPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	Для сравнения
DMN3024LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO	Для сравнения
IRF7807VTRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC	Для сравнения