Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
DMC3028LSD-13 Альтернативные части: IRF7807VPBF ,DMN3024LSS-13
DMC3028LSD-13Diodes Incorporated
В наличии: 3892
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
22.211538 ₽
22.25 ₽
10
20.954286 ₽
209.48 ₽
100
19.768187 ₽
1,976.79 ₽
500
18.649231 ₽
9,324.59 ₽
1000
17.593613 ₽
17,593.68 ₽
Цена за единицу: 22.211538 ₽
Итоговая цена: 22.25 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | - | 30 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 73.992255mg | - | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.6A 6.8A | 8.3A Ta | 6.4A Ta |
Количество элементов | 2 | 1 | - |
Время отключения | 44 ns | 11 ns | 16 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Digi-Reel® | Tube | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2009 | 2003 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | - | - |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | - |
Максимальная потеря мощности | 1.8W | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | - |
Основной номер части | DMC3028LSD | - | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2.1W | 2.5W | - |
Время задержки включения | 3.5 ns | 6.3 ns | 2.9 ns |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 28m Ω @ 6A, 10V | 25m Ω @ 7A, 4.5V | 24mOhm @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 472pF @ 15V | - | 608pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 10.5nC @ 10V | 14nC @ 5V | 12.9nC @ 10V |
Время подъема | 4.9ns | 1.2ns | 3.3ns |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Время падения (тип) | 28 ns | 2.2 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7.4A | 8.3A | 8.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5.5A | - | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | - |
Длина | 5mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 2.5W Ta | 1.6W Ta |
Серия | - | HEXFET® | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Моментальный ток | - | 8.3A | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Угол настройки (макс.) | - | ±20V | ±20V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.025Ohm | - |
Двухпитание напряжения | - | 30V | - |
Номинальное Vgs | - | 3 V | - |
Поставщик упаковки устройства | - | - | 8-SO |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Каналов количество | - | - | 1 |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
Входной ёмкости | - | - | 608pF |
Сопротивление стока к истоку | - | - | 24mOhm |
Rds на макс. | - | - | 24 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | Для сравнения |
 | IRF7807VPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Для сравнения |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | Для сравнения |
| IRF7807VTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Для сравнения |